| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0021-h01 | OSAT／CoWoS | OSAT 可承接類似 CoWoS-L 與 CoWoS-R 的後段封裝，但無法完全獨立製作 CoWoS-S，因 TSV／矽中介層仍需由晶圓廠或客戶提供。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0044-h01 | Intel EMIB-T | Intel EMIB 目前主要是 EMIB-T，最大客戶為 Google TPU；結構驗證已通過，目前進行電性與可靠性測試，狀況不錯。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0046-h01 | Intel EMIB-T | 預估至 2027 年底，EMIB-T 月產能約為 30K 至 35K 顆。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0118-h01 | 玻璃基板 | 最困難的玻璃鑽孔與穩定壓合製程已逐步解決，後續開發速度會加快，預計明年中有機會開始量產。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0109-h01 | 玻璃基板 | 玻璃基板量產方面，台灣進度較快且明顯領先 Intel；Intel 因多次組織與策略調整，進度延遲約 9 個月至 1 年以上。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0131-h01 | EMIB-T／TCB | EMIB-T 的 bridge die／晶片具有垂直連接結構，需透過 solder joint 連接到底下 substrate，因此使用 thermal compression bonder 而非一般 die bonder；主要設備商為 ASMPT。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0068-h01 | Warpage 抑制 | Warpage 抑制的基本方案是在晶圓背面貼附高分子材料或較硬的支撐材料，經加熱收縮後將向上翹曲的晶圓往反方向拉平。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0103-h01 | Intel／Hybrid Bonding | 目前 Intel Hybrid Bonding 的真正量產仍以 wafer-to-wafer 為主，成本約為台積電的兩倍。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0105-h01 | Intel／Hybrid Bonding | Intel 在大型年會展示的 Foveros Direct Hybrid Bonding 屬於 die-to-wafer bonding，但目前真正量產仍以 wafer-to-wafer 為主，因 die-to-wafer 成本太高。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0081-h01 | Warpage／製程固定 | 氣壓或壓力方式屬於製程中的暫時性固定；設備可透過 vacuum chuck 吸住並拉平晶圓，或以夾具輕壓後再由背面真空通道吸附固定。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0069-h01 | Warpage／材料 | 可透過改變 CoWoS-L 或 CoWoS-R 的中間材料來抑制 warpage；降低材料收縮與 CTE mismatch 有其效果上限，且高分子材料交聯程度提高後，抗化學性、延展性或後續製程相容性可能受到影響。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0095-h01 | CoWoS／EMIB | 當整合面積較小且 I/O 密度極高時，CoWoS 較具優勢；當整合面積很大且基板有足夠空間配置局部 bridge 時，EMIB 可能更具成本優勢。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0097-h01 | CoWoS／EMIB | 以專家口述的尺寸概念來看，約 4 至 5 倍 reticle 以下多數偏向 CoWoS；整合面積約 8 至 9 倍、甚至 12 至 14 倍 reticle 時，EMIB 的成本優勢可能更明顯。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0058-h01 | EMIB-like | 台積電 EMIB-like 傾向先完成基板，再將 CoWoS-L 的局部 bridge／RDL 結構直接製作在基板上；不同於 Intel 原始 EMIB 在基板挖槽埋入 bridge die，且不需額外以大量 copper pillar bump 連接局部中介層與基板。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0024-h01 | 矽品／CoWoS-L | 目前只有矽品在 CoWoS-L 類型封裝上具有實際量產經驗，因 AMD MI200 系列部分產品曾轉至矽品量產。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0064-h01 | EMIB-like／Warpage | EMIB-like 加入 bridge die 與局部 molding 結構後可能加劇 warpage，因此基板需刻意設計成不對稱、但在完成組裝後達到整體平衡，設計難度較高。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0062-h01 | EMIB-like／Warpage | 基板表面的綠色 solder mask 與黑色 molding compound 黏著性不佳；若將 molding 結構直接製作在基板上，需先粗化基板表面以提升附著力，並調整基板設計以平衡 warpage。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0072-h01 | Warpage／結構設計 | 從 PI／PBO 到 molding compound 的材料改良約可貢獻 40% 的 warpage 改善；balance film／backside film 貢獻約 10% 至 20%，其餘約 40% 至 50% 取決於基板層數、上下金屬層分布與銅密度等結構設計。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0029-h01 | AMD CPU／SPIL | 據專家所知，SPIL 在 AMD CPU 封裝部分已跨過門檻，應該很快會開始放量。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0107-h01 | Intel EMIB-T／材料 | 現行 EMIB-T 仍使用傳統 low／ultra-low CTE 的 glass-fiber core，尚未使用 glass core。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0088-h01 | 基板／矽中介層 | Substrate 的 CTE 至少約 8 至 10，有時甚至達 12；silicon interposer 的 CTE 約為 3，因此基板在高溫製程中容易發生伸縮與對位問題。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0040-h02 | 日月光／矽品 | 若只看 on-substrate assembly，日月光與矽品的產能比例大約為 50／50。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0040-h01 | 日月光／矽品 | 日月光與矽品合計的先進封裝產能中，大約 90% 會在矽品，原因是日月光 qualification 狀況不理想。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0122-h01 | CPO／NPO | CPO 可高度整合光學與電學、縮短距離並改善訊號效果，但實際封裝會衍生熱管理、製程良率及整體封裝體信賴性測試問題，因此廠商開始放慢 CPO 發展並提出 NPO 解決方案。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0045-h01 | Intel EMIB | EMIB 封裝良率約為 89% 至 92%，仍低於台積電 CoWoS 平台約 95% 的良率。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0140-h01 | EMIB-like／CoPoS | 台積電現行 EMIB-like 以 substrate panel 尺寸為基礎，例如 408 × 510 mm 或標準 510 × 515 mm；現有 CoPoS 則為 310 × 310 mm。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0021-h02 | OSAT／Bridge Die | OSAT 無法自行製作 bridge die，必須由客戶委託前段廠製作後再交付。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0070-h01 | CoWoS-L／Molding | CoWoS-L 中間黑色 molding compound 類似由樹脂與大量 filler 組成的水泥；提高二氧化矽等 filler 比例可降低 CTE、熱膨脹與收縮並減少 warpage，但 filler 添加量有上限。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-23.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260723_先進封裝專家會議逐字稿/sessions/2026-07-23_先進封裝專家會議.md | p0117-h01 | 玻璃基板製程 | 玻璃基板加工除雷射鑽孔外，也涉及孔內金屬化、填孔及其他新製程，部分方案嘗試由傳統電鍍轉向 mass transfer 等新的填孔概念。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0095-h01 | DUV/EUV 安裝人力與週期 | DUV 正常 cycle time 約 1–1.5 個月，一台約 6 人即可安裝；若客戶購買 night shift support，則約 8 人日夜輪班，EUV 通常直接採日夜班共同作業。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0010-h01 | EUV/DUV 曝光製程 | 3 奈米晶片通常約需 DUV 曝光 50–60 層及 EUV 曝光 20–25 層；若完全使用 DUV，原 EUV 層可能各需重複曝光 2–3 次，總曝光層數可能超過 100 層。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0029-h01 | High-NA 機台台數 | 目前 High-NA 機台台數仍少：台積電場內約兩台；Intel 已有機台，年底至明年還會再進；Samsung 目前一台、明年第二季再進一台，合計兩台；SK hynix 已有一台，另有訂單但交期尚未完全確定。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0019-h01 | 台積電 High-NA 導入 | 目前台積電 A14 仍使用 Low-NA；High-NA 較可能於 A10 開始導入，初期可能僅使用一、兩層，且 A10 規劃尚未完全確定。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0019-h02 | High-NA 導入時程 | High-NA 真正開始投入的時間大約落在 2029–2030 年，ASML內部聽到的消息也是 High-NA pilot 計畫在 2029–2030 年才會明顯往前推進。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0027-h01 | SK hynix 與 Micron DUV 需求 | SK hynix 的 DUV 機台需求很大，主要集中在 2027 年；Micron 的採購量較過去增加，但仍明顯少於 SK hynix，即使Micron有新 fab，目前看到的台數仍不多。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0086-h01 | 機台裝機瓶頸 | 工程師培訓至少需要半年；目前瓶頸主要在 customer site installation，而非工廠生產，生產端與 engineering 端資源仍可支應，但先前提到的品質問題需要處理。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0053-h01 | DUV/EUV optics 供應與品質 | Projection lens／optics 是整台機器最昂貴的零組件之一，成本占比約 40%，主要由 ZEISS 供應，DUV 與 EUV 都高度依賴；近幾個月觀察到部分高階 DUV 機型 optics 有品質問題，EUV 也有一些狀況。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0017-h01 | EUV 光阻材料 | EUV 曝光單層成本約為 DUV 的 1.5–2 倍，且 EUV photoresist 與 DUV photoresist 不同；EUV 光阻成本較高，因此 EUV 用量提高對 EUV 光阻材料廠較有利。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0052-h01 | High-NA 產能預留 | High-NA 早期研發由 Intel、Samsung、TSMC 等主要客戶共同投入，幾家各預留 5 台機台或 slot；Intel 計畫將配置拉滿，其他客戶則會逐步增加，但許多客戶未必願意立即為 High-NA 進行大幅度 fab 改造。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0094-h01 | 機台安裝週期 | 一台機台安裝約需 32 人，正常 installation cycle time 約 3 個月；從進入 customer site 到正式交機約 3–4.5 個月，安裝後 CS team 還需進行 hardware test，客戶再以自己的 process parameter 調整，後續可能再需約 1.5 個月。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0090-h01 | DUV 產能 | DUV 年產能約 350 台 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0082-h01 | 南亞科 DUV 需求 | 南亞科 2027 年的 DUV 機台需求明顯增加，整體可能接近 20 台；2026 年約 2–3 台，2027 年將有十幾台，且訂單正陸續進來，整體 order book 已排得很滿。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0122-h01 | 中國客戶機台溢價 | 部分中國客戶為搶先取得機台，願意多支付約 25%。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0088-h01 | 機台 Fast Shipment | 出貨量過大時，工廠可能採取 fast shipment：機台在工廠僅完成部分 setup、test 即拆裝並送至 customer site，剩餘 setup 與問題在客戶端完成；部分工作可移至客戶端以加快出貨，但主要限制仍是 installation engineer。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0042-h01 | High-NA 導入成本與設備 | 若 High-NA 僅用於一、兩個 layer，客戶需投入的成本過高；機台高度約 7 公尺，而一般 fab 樓高約 6–7 公尺，改造困難，且除 scanner 外，track、metrology 及其他周邊設備也需更換，無法與 Low-NA 平台完全共用，所以如果只用一道 layer，客戶會覺得沒有意義。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0054-h01 | DUV/EUV optics 壽命與校正 | DUV lens 設計壽命約 10 年，EUV optics 可能為 5–6 年；部分近一、兩年推出的機台被發現有異常，但 lens 並非完全無法使用，系統可透過 correction／compensation，並由 ZEISS 製作客製化 correction element 將光學性能校回來。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0028-h01 | EUV/High-NA 機台價格 | EUV 機台定價約 2 億歐元以上，主力 NXE:3800E 約 2.5 億歐元；High-NA EXE 機台約 4.2 億歐元。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0036-h01 | XT:260 與 interposer 曝光 | 一開始 XT:260 沒有很快搶到市佔，因為台積電原本還是用既有的 Canon 機台。台積電後來決定導入 XT:260，主要看中 interposer 的 full-field exposure；該機台一次可完成 full field，效率約為傳統解法的 4 倍，但並非全面取代既有 Canon 機台，目前 Canon 與 ASML 在此領域市占約 1 比 1。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-29.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260729_ASML_逐字對照校訂版/sessions/2026-07-29_逐字對照校訂版｜2026_07_29.md | p0081-h01 | 中國訂單與台積電插單 | 公司總訂單沒有減少，中國需求也沒有消失，部分訂單只是延後；原因不是停止出貨，而是台積電 advanced packaging 的 XT:260 急需出貨，因此將其他訂單往後排，優先提前台積電機台。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0118-h01 | 日本 TGV 供應鏈 | 日本偏好 LPKF LIDE，因日本原有完整的化學材料與濕製程產業；雷射改質後的酸蝕、清洗與材料配方可讓日本供應鏈再創造價值。若完全採 Corning 全乾式路線，部分濕製程價值將被拿掉。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0026-h01 | Glass Core 面板尺寸 | 面板尺寸愈大，周邊 alignment mark、曝光對位區、搬運邊界與切割區占比也會增加，因此產出不會單純按面積等比例提升；即使達到 600 × 600 或 700 × 700 mm，仍須扣除邊緣與設備對位所需的無效區。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0046-h01 | TGV 成孔技術 | 目前 TGV 成孔主流仍是 Corning CLT 與 LPKF LIDE；Corning 擁有自家的玻璃配方、雷射頭與參數，群創也已公開與 Corning 合作。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0122-h01 | LIDE 良率 | 目前看來，LIDE 良率相對穩定，原因是多了一道選擇性蝕刻；雷射改質後，蝕刻可同時移除孔壁粗糙區與部分 micro-crack，相當於進行一次 repair。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0104-h01 | TGV 加工時間 | 以約 400.4 萬個孔計算，加工速度每秒 5,000 孔時，雷射改質約需 800.8 秒（13.3 分鐘）；每秒 10,000 孔時約需 400.4 秒（6.7 分鐘）。後續化學蝕刻採批次處理，一個 cassette 約 20 片，處理時間可能約 20 至 40 分鐘，不包含雷射加工與上下料時間。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0040-h01 | TGV／LIDE 製程 | 若雷射後採用 LIDE（Laser Induced Deep Etching）路線，會透過化學蝕刻選擇性去除雷射改質區，之後進行清洗與表面處理，必要時再研磨或 CMP。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0014-h01 | TGV／玻璃核心製程 | 目前真正的製程瓶頸不是 TGV 成孔或銅鍍入，而是鍍銅後如何實現高通量、低漏檢的檢測。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0066-h01 | TGV 檢測 | TGV 是透明的，尚未金屬化時可用光學方法檢測；鍍銅完成後，銅會遮蔽可見光與近紅外光，內部裂紋與空洞不能只靠一般 AOI 檢測。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0070-h01 | 高階 AI 封裝 | 高階 AI 封裝偏好完全填滿的實心銅孔，原因包括較好的導熱能力、承受較高電流密度並強化 power delivery、恢復玻璃局部剛性以降低翹曲，以及在 20G、56G、112G 高速訊號下較有利於訊號完整性與阻抗控制。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0103-h01 | TGV 密度計算 | 以 2,001 × 2,001 排列計算，整片共有 4,004,001 根 TGV，約 400.4 萬根。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0102-h01 | TGV 密度計算 | 以 310 × 310 mm 玻璃面板為例，四周各保留 5 mm 無效區後，有效加工區為 300 × 300 mm；若 TGV pitch 為 150 μm（0.15 mm），單軸可排列 2,001 根。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0058-h01 | TGV 孔型 | TGV 常見四種形狀包括沙漏形、直孔、錐形，以及盲孔玻璃通孔 BGV。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0129-h01 | Intel Glass Core | Intel 很早即投入 glass core；示範結構可能採約 300 μm 的 glass core，上下形成約 22 層 RDL，線寬／線距依層別有 2 μm、7 μm、15 μm 等不同規格，完成後再連接 die、HBM 與 PCB。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0069-h01 | TGV 銅金屬化 | 銅金屬化主要分為 conformal via（僅在孔壁形成薄銅層、中央保持空心）與 completely filled via（以緻密實心銅塞填滿整個孔）；以巨量轉移植入微型銅柱的構想尚未成為主流。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0053-h01 | TGV 超快雷射 | Picosecond 約為 10⁻¹² 秒、femtosecond 約為 10⁻¹⁵ 秒，脈衝愈短，熱影響區愈小。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0054-h01 | TGV 超快雷射 | 一般雷射若能量停留過久，玻璃內會累積熱，可能超過玻璃轉移溫度或產生局部熱應力，最終形成 micro-crack；超快雷射可降低熱殘留，但仍須控制能量、焦點與脈衝數。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0047-h01 | 玻璃材料與雷射製程 | 玻璃材料不能和雷射設備分開看，因為不同玻璃配方對應不同波長、脈衝能量與焦深；若玻璃、雷射頭與製程參數未成套驗證，良率將很難穩定。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-28.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260728_CoPoS供應鏈_校正版完整逐字稿_版面修正版/sessions/2026-07-28_2026_07_28 CoPoS／Glass Core／TGV.md | p0073-h01 | TGV 檢測與產能 | TGV 成孔後可使用 AOI、光彈與 3D NIR，Cu fill 後目前仍以 X-ray／AXI／CT 為主；310 × 310 mm 面板可能有約 400 萬個孔，不能只檢查少數截面就宣稱製程成熟。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0017-h01 | Hub倉領料流程 | Hub 倉的通用型伺服器產品通常要等料件備齊後，由 CSP 通知 ODM 領料，川湖、南俊才會知道。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0162-h01 | 水冷產品進度 | 水冷產品最快第四季才開始供貨，目前尚未正式報價；細節仍在調整，包括把手是否會碰到光纖及滑軌展開長度，需確認小細節符合要求。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0018-h01 | Hub倉存貨量 | Hub 倉中 Amazon 約有 30 萬組，Microsoft 有 100 多萬組；Microsoft 仍持續要求依 forecast 出貨。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0036-h01 | AWS通用型伺服器 | AWS 通用型伺服器目前大概恢復到去年水準，約 3 萬至 5 萬組；上個月只有 3 萬多組。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0091-h01 | T3每櫃配置 | 每櫃原本配置 20 組，組成為 8 加 4 加 8；南俊在緯穎 lab 看到T3 有一個 28 組版本。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0087-h01 | 滑軌ASP | 滑軌 ASP 目前為 670 元，起初為 560 元；因發現同業報價更高，後續向上調整。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0131-h01 | Microsoft客製GB滑軌 | 一般 GB 公版滑軌約 60 至 70 美元；Microsoft GB 為價格較低的客製版，非公版，先前提到的客製版價格約 30 至 40 美元，近期沒有明顯變化。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0027-h01 | CSP供應鏈管理 | 南俊與 CSP 談的是出廠價格，後續物流、報關及海運由 CSP 負責，偶爾也會空運，後段流程已納入 CSP 管理。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0032-h01 | 南俊出貨量與產品組合 | 公司每月總出貨量約二、三十萬組，其中 Microsoft 約 20 萬組、目前約二十幾萬組；產品包括通用型伺服器、Eagle Stream、2U 及傳統應用 storage，涵蓋 1U、2U 等不同 model。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0137-h01 | GB至Vera Rubin機構變更 | 從 GB 到 Vera Rubin 的機構件改動應該不大；T3 料件變更也不多，主要增加幾個安全機構件，部分沖壓模具及組裝僅有些微不同。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0064-h02 | Vera Rubin供應商 | 很多 Vera Rubin 案子的一供是鴻海。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0015-h01 | Hub倉與GB出貨 | Hub 倉主要存放通用型伺服器料件；GB 通常直接叫貨。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0037-h01 | Hub倉水位與AWS出貨 | Hub 倉 30 萬組相當於至少六個月以上的量，但此 Hub 水位仍算正常；過去包含船運在內約抓三、四個月，船運時間約一週。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0064-h01 | 廣達Microsoft second source | 廣達最近才被 Microsoft 納入 second source，但實際出貨時間仍未知；受一供為鴻海等因素影響，廣達目前所稱的案子較可能是 AWS。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0115-h01 | 川湖GB滑軌報價 | King Slide（川湖）的 GB 報價較高，大約為 90 多至 100 美元，據稱也有三位數報價。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0047-h01 | Microsoft產品組合 | Microsoft 去年每月平均出貨約十幾萬組，產品組合主要是 Whitley 及後來的 Eagle Stream；今年轉向新平台，均價會較好，但第二季沒有原先第一季所說的「幾乎 double」亮點。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0119-h01 | 南俊GB報價 | 南俊 GB 原先報價為 70 至 80 美元，後來遭 Microsoft 砍價，目前約 60 多美元、接近 70 美元。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0048-h01 | Microsoft供應鏈缺料 | Microsoft 的問題主要是電子零組件缺料，先前也曾缺記憶體。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-13.md | 99_archive/imports/expert_meetings/20260713_南俊到府_校正版完整逐字稿/sessions/2026-07-13_2026_07_13 南俊國際到府訪談｜校正版完整逐字稿.md | p0083-h01 | 南俊second source供貨 | 若南俊作為 second source 供貨三成，約為 3 萬組；若總量為 5,000 櫃、每櫃 20 組，總量則為 10 萬組；先前估算三成約可貢獻單月 4,000 萬元。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0035-h01 | MLCC 漲價 | 漲價已完成協商，多數方案從第四季開始生效，因此第三季帳面上看起來仍未調漲；系統廠不會讓自己陷入完全拿不到貨的狀況。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0013-h02 | LTA | LTA 的核心精神是保證供應；部分合約同時保供與保價，價格波動約定不超過正負 10%，另有部分合約只保供、不保價，視原廠與客戶協議而定。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0013-h01 | LTA | 大型資料中心客戶LTA 通常以一年期為主。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0041-h01 | LTA | 一般從第三季開始協商下一年度的議價與 LTA；近幾年原廠除非面對非常重要的客戶，否則不太願意簽署，因為簽約後會受到綁定。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0101-h01 | Google TPU 與鉭電容 | Google 的新 TPU 方案雖考慮減少或移除鉭電容，但目前尚未正式實施。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0016-h02 | MLCC 規格分類 | 以容值為 x 軸、電壓為 y 軸時，第四象限是 50V 以下、1µF 以上的高容值部分；其特徵是尺寸越小、容值越高、溫度係數越高者越具優勢。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0016-h03 | MLCC 規格分類 | 第一象限的中壓高容及第二象限的高壓低容規格，板上用量原本較少，除特殊應用外基本上不缺料。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0013-h03 | MLCC | 一家系統廠的 MLCC 料號通常超過三、四千個，其中約 500 個料號的主要供應商是村田。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0060-h01 | 華強北 MLCC 價格 | 華強北價格下調被說明為：市場不敢購買來源不明的貨，持貨者又需要換現金購買更好的正貨高容量規格，因此選擇降價。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0020-h01 | MLCC 供應安排 | 原廠仍會優先支援直接終端客戶或系統廠，在原有紀錄量內盡量供貨；若需求突然增加，新增部分需另外協商。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0021-h01 | MLCC 高容規格 | 台廠或陸廠自行生產時，良率可能低於五成，單位時間產出降低並增加成本，可能使高容價格上漲 1 倍、2 倍或 3 倍；市場通路聽到中低階 X5R 部分已漲 1 至 4 倍。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0016-h01 | MLCC 高容規格 | 目前主要缺料及漲幅較高的規格，多來自高容部分。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0019-h01 | VR200 與 MLCC | VR200 之後鉭電容大幅減少並改用 MLCC，原本 100µF 的鉭電容並非 1 比 1 替換，而需使用 2 至 3 顆 MLCC。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0016-h04 | MLCC commodity | 第三象限為一般通用規格（commodity）或小容規格，技術門檻不高。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0019-h02 | MLCC commodity | Commodity 規格已完成兩次漲價：第一次幅度為 30% 至 50%，第二次平均 20%；7 月 1 日公開對終端漲價 50% 至 80%，實際通路端已先完成兩次漲價。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0064-h01 | MLCC 規格轉換 | 除極限規格外，廠商希望終端客戶將一般較不極限的高容量規格由 X5 轉為 X6，並將低壓料改為 25V 或 50V，才能集中生產 25V X6 規格、減少換線並提升整體產能。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0077-h01 | MLCC 擴產 | MLCC 擴產主要看燒結爐與疊層機；若原本有 100 台爐子，擴產 10% 至 15% 通常是增加 10 至 15 台，但新增設備生產的尺寸與層數會決定實際增加的產品顆數。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0072-h01 | MLCC 供需展望 | 手機會與 AI 伺服器競爭 0201、0402 等小尺寸高容規格；中國車市下半年需求預期回升，車用大量使用 0805、1206、1210 等較大尺寸產品，會進一步壓低單位時間產出。若手機或車用需求增加，高階 MLCC 缺口會更大；每月需增加超過 1,000 億顆的估算，是依各應用需求、尺寸組合、設備效率與歷史經驗計算。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0025-h01 | MLCC 供需展望 | 業界判斷，除非 AI 需求下降，或 MLCC 行業內有人針對高階高容規格大幅擴產，否則目前狀況要到 2027 年底才可能解決。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0100-h01 | VR200 與鉭電容 | VR200 減少鉭電容的背景之一，是 2025 年鉭電容嚴重缺貨，NVIDIA 必須尋找替代方案；原本 12V 電源層使用 25V／100µF 鉭電容，5V 電源層使用 6.3V／470µF 或 6.3V／330µF，因為料難買後來部分位置改由 MLCC 取代。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0078-h01 | MLCC 擴產瓶頸 | 高階 MLCC 通常至少 500 層，更高容量甚至接近 1,000 層；層數越多，疊層時間越長，因此真正的瓶頸會落在疊層機。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0070-h01 | MLCC 產能 | 市場主要品牌的 MLCC 月產能大致為：村田約 1,400 億顆、三星約 1,000 億顆、國巨約 1,000 億顆，另一家主要原廠約 800 億顆；若產線改做較大尺寸或高層數產品，實際顆數會明顯下降。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0017-h02 | Vera Rubin／VR200 | 從 GPU 往外約五層的重要規格包括 0201／10µF、0402／47µF、0603／100µF，且多為 X6S；memory 周邊、3.3V 以下電源層也可看到 100µF、47µF、22µF，過去 100µF 規格所在位置多使用鉭電容。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0017-h01 | Vera Rubin／VR200 | Vera Rubin／VR200 的 BOM 中，GPU 與 CPU 附近有許多 0201／10µF、0402／47µF 及 0603／100µF 規格。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0088-h01 | 台廠 MLCC 生產 | 台廠會先集中生產 22µF 等相對有把握的規格，這些產品同樣缺貨、價格也好，雖然良率不如日系原廠，但若至少達到五成以上，交貨風險相對可控。47µF、100µF 等更高階規格通常仍需依靠日系原廠。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0013-h04 | MLCC 供應分配 | MLCC 料號通常採 allocation、share 分配，主要供應商占六至七成，其餘三成分給其他供應商，通常保留三家。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0023-h01 | MLCC 通路庫存 | 市場上部分通路惜售、將貨留在倉庫而未放給終端客戶，因此原廠只給正式代理約三至四成貨，試圖促使通路釋出庫存。 |
| inserted | 01_daily_notes/2026-07-16.md | 99_archive/imports/expert_meetings/元大被動元件逐字稿/sessions/2026-07-16_日期：2026 年 7 月 16 日.md | p0042-h01 | LTA 簽約對象 | 採購合約常包含重工、延遲及外部市場或 EMS 採購價差由原廠吸收等賠償條件，因此原廠通常不太願意與 EMS 廠簽 LTA；較可能簽約的對象是 Google、AWS 或國內品牌系統廠等最終端客戶，因其重視長期合作與品牌並固定使用原廠產品。 |